Описание
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
12.03.2025
NE3517S03-A datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
-
МаркировкаNE3517S03-A
-
ПроизводительCEL (California Eastern Laboratories)
-
ОписаниеCEL (California Eastern Laboratories) NE3517S03-A Current - Test: 10mA Current Rating: 70mA Frequency: 20GHz Gain: 13.5dB Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant Noise Figure: 0.7dB Package / Case: * Power - Output: - Series: - Transistor Type: HFET Voltage - Rated: 4V Voltage - Test: 2V RoHS: yes Technology Type: HEMT Forward Transconductance gFS (Max / Min): 55 mS Drain Source Voltage VDS: 4 V Gate-Source Breakdown Voltage: - 3 V Continuous Drain Current: 70 mA Maximum Operating Temperature: + 125 C Power Dissipation: 165 mW Mounting Style: SMD/SMT
-
Количество страниц1 шт.
-
ФорматPDF
-
Размер файла5,07 KB
NE3517S03-A datasheet скачать
Новости электроники
Стартап на базе FPGA бросает вызов Nvidia благодаря эффективному использованию памяти
Возникающие проблемы в тестировании беспроводных коммуникаций
11.03.2025
Развитие 5G RF-дизайна: сочетание гибридного соединения и RFSOI для модулей фронтального тракта следующего...
11.03.2025
